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(5)已知反应I和反应Ⅱ正反应的活化能E(I)>EEn(I)>Ea(I)>0;Ⅱ)0;;速率常数=Ak=Ae^-EnRn(A、R=Ae(A、R为常数)。则改变温度对反应(填“I”或、R“Ⅱ”)的影响程度更大。

7.高纯二氧化硅可用作集成电路封装剂的填料,用蛇纹石(主要成分为SiO2、Al2O3和MgO制备较纯净的二氧化硅的流程如图1所示。下列说法正确的是NaOH溶液足量硫酸蛇纹石-操作→较纯净SiO2滤渣:滤液b图!A.“碱浸”时发生了氧化还原反应B.加人NaOH溶液的目的是除去MgOC.滤液b蒸发结晶后只得到Al2(SO4)3晶体D.“操作”使用图2中装置Ⅱ

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